| 发明名称 | 一种电阻式非易失存储器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种电阻式非易失存储器件，包括：上导电电极；下导电电极；固态电解液薄膜或二元氧化物薄膜，包含在上导电电极与下导电电极之间；以及金属纳米晶，位于下导电电极上表面。本发明同时公开了一种制作电阻式非易失存储器件的方法。本发明针对目前电阻转变存储器中熔丝/反熔丝和离子导电型两大类中存在的形成导电通道过程的随机性现状，通过对下导电电极形貌进行改变，来改变局域部分的电场强度，从而达到控制导电通道形成位置的目的。通过这种方法制备的电阻转变型存储器具有低的编程电压、小的编程电压的离散性、低的功耗和快的编程速度等特性。 | ||
| 申请公布号 | CN101872836A | 申请公布日期 | 2010.10.27 |
| 申请号 | CN200910082092.1 | 申请日期 | 2009.04.22 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘明;刘琦;龙世兵;王艳;张森 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种电阻式非易失存储器件，其特征在于，包括：上导电电极；下导电电极；固态电解液薄膜或二元氧化物薄膜，包含在上导电电极与下导电电极之间；以及金属纳米晶，位于下导电电极上表面。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||