发明名称 |
带浮置埋层的碳化硅高压N型金属氧化物半导体管及方法 |
摘要 |
一种带浮置埋层的碳化硅高压N型金属氧化物半导体管,包括P型碳化硅衬底,在P型碳化硅衬底上设P型外延层,在P型外延层内设源和N型漂移区,在N型漂移区内设有漏和P型保护环,在源上设源的金属引线,在漏上设源漏的金属引线,在源与N型漂移区之间的P型外延层的上方设栅氧化层且与源的金属引线邻接,在P型保护环的表面、漏的表面以及P型外延层的表面设有场氧化层,在栅氧化层上设有栅,在漏的金属引线上设金属场极板,在P型碳化硅衬底与P型外延层之间设N型浮置埋层,且所述N型浮置埋层位于P型碳化硅衬底与P型外延层交界面上。其制备方法是选择P型碳化硅衬底后,采用注入磷离子的方法制备N型浮置埋层,再进行其它常规操作。 |
申请公布号 |
CN101872786A |
申请公布日期 |
2010.10.27 |
申请号 |
CN201010198507.4 |
申请日期 |
2010.06.11 |
申请人 |
东南大学 |
发明人 |
钱钦松;华国环;孙伟锋;潘晓芳;陆生礼;时龙兴 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
南京经纬专利商标代理有限公司 32200 |
代理人 |
黄雪兰 |
主权项 |
一种带浮置埋层的碳化硅高压N型金属氧化物半导体管,包括:P型碳化硅衬底(1),在P型碳化硅衬底(1)上设有P型外延层(2),在P型外延层(2)内设有源(4)和N型漂移区(3),在N型漂移区(3)内设有漏(5)和P型保护环(7),在源(4)上设有源的金属引线(12),在漏(5)上设有源漏的金属引线(11),在源(4)与N型漂移区(3)之间的P型外延层(2)的上方设有栅氧化层(6)且与源的金属引线(12)邻接,在P型保护环(7)的表面、漏(5)的漏的金属引线(11)以外的表面、N型漂移区(3)的漏(5)和P型保护环(7)以外的表面以及P型外延层(2)的源的金属引线(12)和栅氧化层(6)以外的表面设有场氧化层(8),在栅氧化层(6)上设有栅(10),在漏的金属引线(11)上设有金属场极板(9),其特征在于,在P型碳化硅衬底(1)与P型外延层(2)之间设有N型浮置埋层(13),且所述N型浮置埋层(13)位于P型碳化硅衬底(1)与P型外延层(2)交界面上。 |
地址 |
210096 江苏省南京市四牌楼2号 |