减少热载流子效应的P型横向双扩散金属氧化物半导体管

摘要

一种减少热载流子效应的P型横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：P型半导体衬底，在P型半导体衬底上面设置有N型阱区，在N型阱区上设置有P型阱区和P型掺杂半导体区，在P型阱区上设有P型源区和N型接触区，在P型掺杂半导体区上设有P型漏区，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的上表面，其特征在于在N型阱区内设有轻掺杂浅P型区，所述的轻掺杂浅P型区位于P型阱区与P型掺杂半导体区之间，且轻掺杂浅P型区覆盖栅氧化层与P型掺杂半导体区形成的拐角。

主权项

一种减少热载流子效应的P型横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：P型半导体衬底(9)，在P型半导体衬底(9)上面设置有N型阱区(10)，在N型阱区(10)上设置有P型阱区(8)和P型掺杂半导体区(11)，在P型阱区(8)上设有P型源区(6)和N型接触区(7)，在P型掺杂半导体区(11)上设有P型漏区(12)，在P型阱区(8)的表面设有栅氧化层(3)且栅氧化层(3)自P型阱区(8)延伸至N型阱区(10)和P型掺杂半导体区(11)，在P型阱区(8)表面的P型源区(6)、N型接触区(7)和栅氧化层(3)的以外区域及P型掺杂半导体区(11)表面的P型漏区(12)和栅氧化层(3)以外区域设有场氧化层(1)，在栅氧化层(3)的上表面设有多晶硅栅(4)且多晶硅栅(4)延伸至P型掺杂半导体区(11)的场氧化层(1)的表面，在场氧化层(1)、N型接触区(7)、P型源区(6)、多晶硅栅(4)及P型漏区(12)的表面设有氧化层(5)，在P型源区(6)、N型接触区(7)、多晶硅栅(4)和P型漏区(12)上分别连接有金属层(2)，其特征在于在N型阱区(10)内设有轻掺杂浅P型区(13)，所述的轻掺杂浅P型区(13)位于P型阱区(8)与P型掺杂半导体区(11)之间，且轻掺杂浅P型区(13)覆盖栅氧化层(3)与P型掺杂半导体区(11)形成的拐角，所述轻掺杂浅P型区(13)的深度为P型掺杂半导体区(11)深度的0.4至0.6倍。