连续电镀制作线路组件的方法及线路组件结构

摘要

本发明提供一种形成覆盖有聚醯亚胺(polyimide，PI)的连续电镀结构的方法，其包括(a)提供一半导体基底；(b)在该半导体基底上形成一黏着/阻障层；(c)在该黏着/阻障层上形成复数金属线路层(metal trace)；(d)在该些金属线路层中选择一目标区域做为接垫，并在该接垫上形成一金属层；(e)去除未被覆盖的该黏着/阻障层；以及(f)形成一聚醯亚胺在该半导体基底上，并暴露出该金属层。

主权项

一种连续电镀制作线路组件的方法，其特征在于，其步骤包括：提供一半导体基底、数个厚度小于3微米的介电层与厚度小于3微米的细线路层、一第一线圈及一保护层，其中所述的介电层与细线路层位于所述的半导体基底上，所述的保护层位于所述的介电层与细线路层上，所述的第一线圈位于所述的保护层上，所述的第一线圈具有一接垫，所述的接垫位于所述的保护层上，而提供所述的第一线圈的步骤包括形成一第二金属层在所述的保护层上、形成一第二图案化光阻层在所述的第二金属层上，且所述的第二图案化光阻层的多个开口暴露出所述的第二金属层、以电镀方式形成厚度介于2微米至30微米之间的一第三金属层在所述的第二图案化光阻层的所述的开口内，且所述的第二图案化光阻层的所述的开口包括一线圈形状、以及在形成所述的第三金属层后，去除所述的第二图案化光阻层；形成一第一图案化光阻层在所述的第一线圈及所述的保护层上，所述的第一图案化光阻层具有至少一开口暴露出所述的接垫；以电镀方式形成厚度介于1微米至150微米之间的一第一金属层在所述的第一图案化光阻层的所述的开口内；去除所述的第一图案化光阻层；去除未在所述的第三金属层下的所述的第二金属层；以及在去除未在所述的第三金属层下的所述的第二金属层后，形成一聚合物层在所述的第一金属层和第三金属层上，并曝露出第一金属层。