| 发明名称 | 采用ND3退火来提高SONOS闪存器件可靠性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种采用ND3退火来提高SONOS闪存器件可靠性的方法，包括如下步骤：第一步，制备隧穿氧化层；第二步，ND3退火；第三步，制备氮化硅陷阱层；第四步，制备高温热氧化层；第五步，制备栅电极。在ND3退火的过程中，隧穿氧化层和硅衬底界面处的悬挂键可以被硅-氘键饱和，同时不稳定的硅-氢键可以被硅-氘键取代，这样就大大提高了界面处的电学特性，进而可以提高SONOS闪存器件可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN101872746A | 申请公布日期 | 2010.10.27 |
| 申请号 | CN200910057130.8 | 申请日期 | 2009.04.24 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 林钢 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 王函 |
| 主权项 | 一种采用ND3退火来提高SONOS闪存器件可靠性的方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步，制备隧穿氧化层；第二步，ND3退火；第三步，制备氮化硅陷阱层；第四步，制备高温热氧化层；第五步，制备栅电极。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||