发明名称 一种薄膜磁阻传感器
摘要 本发明涉及一种传感器,尤其是一种薄膜磁阻传感器,具体地说是一种用于磁场中电流、位置、移动角度,角速度等量检测的传感器。按照本发明提供的技术方案,所述薄膜磁阻传感器,包括种子层;参考层,位于种子层上,产生第一交换耦合场;非磁性隔离层,位于参考层上,将参考层与自由层相隔离;自由层,位于非磁性隔离层上,感应外磁场变化,并产生第二交换耦合场,所述第二交换耦合场与第一交换耦合场互相垂直。本发明磁滞小、测量精度和线性度高、线性范围可调、制作工艺简单、响应频率高、制造成本低及抗干扰能力强。
申请公布号 CN101871787A 申请公布日期 2010.10.27
申请号 CN201010193327.7 申请日期 2010.06.01
申请人 王建国;薛松生 发明人 王建国;薛松生
分类号 G01D5/14(2006.01)I;G01R33/09(2006.01)I 主分类号 G01D5/14(2006.01)I
代理机构 无锡市大为专利商标事务所 32104 代理人 曹祖良
主权项 一种薄膜磁阻传感器,其特征是,包括:种子层;参考层,位于种子层上,产生第一交换耦合场;非磁性隔离层,位于参考层上,将参考层与自由层相隔离;自由层,位于非磁性隔离层上,感应外磁场变化,并产生第二交换耦合场,所述第二交换耦合场与第一交换耦合场互相垂直。
地址 214028 江苏省无锡市新区长江路7号科技园一区无锡微磁传感科技有限公司