发明名称 |
自带短路保护功能的垂直发光二极管 |
摘要 |
自带短路保护功能的垂直发光二极管,在第一电极上依次叠层有散热基板、第二电极、焊接金属和第三电极,在第三电极上形成半导体发光叠层,在半导体发光叠层上蚀刻一隔离槽至第三电极,则在半导体发光叠层位于第三电极区域,形成一环绕半导体发光叠层四周并以隔离槽间隔开的半导体发光叠层护栏,该半导体发光叠层护栏具有与半导体发光叠层完全相同的结构,隔离槽底部为第三电极;一第四电极形成于半导体发光叠层上;通过半导体发光叠层护栏间隔环绕于半导体发光叠层周围,能够有效阻隔芯片切割的金属粉末或封装过程的导电胶到达半导体发光叠层,对半导体发光叠层起到短路保护的功能,以使本发明的垂直发光二极管具有较好的可靠性。 |
申请公布号 |
CN101872830A |
申请公布日期 |
2010.10.27 |
申请号 |
CN201010205490.0 |
申请日期 |
2010.06.10 |
申请人 |
厦门市三安光电科技有限公司 |
发明人 |
林雪娇;黄慧君 |
分类号 |
H01L33/48(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/48(2010.01)I |
代理机构 |
厦门原创专利事务所 35101 |
代理人 |
徐东峰 |
主权项 |
自带短路保护功能的垂直发光二极管,一第一电极;一散热基板,形成于第一电极上;一第二电极,形成于散热基板上;一焊接金属,形成于第二电极上;一第三电极,形成于焊接金属上;一半导体发光叠层形成于第三电极上的中央区域,此半导体发光叠层提供发光作用;一半导体发光叠层护栏形成于第三电极上并位于第三电极外围区域,半导体发光叠层护栏间隔环绕于半导体发光叠层的四周;此半导体发光叠层护栏具有与半导体发光叠层完全相同的结构,间隔的半导体发光叠层护栏与半导体发光叠层之间的为一隔离槽;隔离槽底部为第三电极,半导体发光叠层护栏对半导体发光叠层起短路保护作用;一第四电极,形成于半导体发光叠层上。 |
地址 |
361009 福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号 |