侧壁具有分布布拉格反射镜的氮化镓基发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开的一种侧壁具有分布布拉格反射镜的氮化镓基发光二极管及其制备方法，在蓝宝石基板上依次生长N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层；在P-GaN层上形成透明导电层；通过光罩、蚀刻，将透明导电层所在的部分台面蚀刻至暴露出N-GaN层；在透明导电层上形成P电极；在暴露的N-GaN层上形成N电极；在蓝宝石基板、N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层的侧壁上形成分布布拉格反射镜；将蓝宝石基板减薄、抛光并切割成独立的发光二极管芯粒；与现有技术相比，本发明在LED芯片的侧壁设置具有优异反射性的分布布拉格反射镜，当光到达蓝宝石基板侧面时可有效增加出光或取光，可有效提高发光二极管的外部量子效率。

主权项

侧壁具有分布布拉格反射镜的氮化镓基发光二极管，包括一蓝宝石基板，在蓝宝石基板上依次层叠生长N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层，在P-GaN层上形成透明导电层，在透明导电层上形成一P电极，在N-GaN层的暴露面上形成一N电极；分布布拉格反射镜，形成于蓝宝石基板、N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层的侧壁。