发明名称 静电夹盘装置、等离子处理装置和制造静电夹盘装置的方法
摘要 本发明要求保护一种静电夹盘装置、等离子处理装置和制造静电夹盘装置的方法。一种静电夹盘装置,其中静电夹盘和支撑部由高电阻率、高导热性和低射频能量损耗的介电质材料制成。该静电夹盘装置的好处是它比传统的静电夹盘装置使晶圆表面具有更均匀的电磁场分布。其结果是,晶圆蚀刻速率,特别是晶圆边缘的蚀刻速率的非均匀性,被显著地改善。
申请公布号 CN101872713A 申请公布日期 2010.10.27
申请号 CN200910049953.6 申请日期 2009.04.24
申请人 中微半导体设备(上海)有限公司 发明人 陈金元;欧阳亮;荒见淳一;钱学煜;杜志游;尹志尧
分类号 H01L21/00(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I 主分类号 H01L21/00(2006.01)I
代理机构 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人 王洁
主权项 一种等离子处理装置,包括:腔体;等离子体气源,向腔体内提供一等离子气体;与腔体相连接的阴极基座;与阴极基座相连接的支撑部;与支撑部相连接的静电夹盘,所述静电夹盘内部包括电极;其中,支撑部和静电夹盘包括具有高电阻率、高导热性和低射频能量损失的介电质材料;与阴极基座相连接的射频源,以在腔体内激励形成等离子体;和直流电压源,与电极相连接,用于将待加工件固定在静电夹盘上。
地址 201201 上海市浦东金桥出口加工区(南区)泰华路188号