| 发明名称 | 贴合基板的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种贴合基板的制造方法，所述贴合基板具有导入了比原来大的拉伸应变的Si1-xGex(0＜x≤1)薄膜。具体而言，本发明提供一种贴合基板的制造方法，所述方法至少包括下列工序：准备施主晶片和热膨胀率低于所述施主晶片的支撑晶片的工序；将氢离子或稀有气体离子或者此二者注入施主晶片以形成离子注入层的工序；对施主晶片与支撑晶片的至少一方的贴合面进行等离子体活化处理的工序；将施主晶片与支撑晶片进行贴合的工序；对施主晶片的离子注入层施加机械性冲击并进行剥离的工序；对施主晶片的剥离面进行表面处理的工序；以及通过使Si1-xGex(0＜x≤1)薄膜在剥离面上外延生长，以在贴合的晶片上形成应变Si1-xGex(0＜x≤1)薄膜的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101874290A | 申请公布日期 | 2010.10.27 |
| 申请号 | CN200880117698.8 | 申请日期 | 2008.11.27 |
| 申请人 | 信越化学工业株式会社 | 发明人 | 秋山昌次 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 张淑珍;王维玉 |
| 主权项 | 一种贴合基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法为贴合基板的制造方法，所述制造方法至少包括下列工序：准备施主晶片和热膨胀率低于所述施主晶片的支撑晶片的工序；将氢离子或稀有气体离子或者此二者注入所述施主晶片以形成离子注入层的工序；对所述施主晶片与所述支撑晶片的至少一方的贴合面进行表面活化处理的工序；将所述施主晶片与所述支撑晶片进行贴合的工序；通过对所述施主晶片的所述离子注入层施加机械性冲击并进行剥离，以将所述施主晶片薄膜化的工序；对所述薄膜化的施主晶片的剥离面进行表面处理的工序；以及通过使Si1-xGex(式中，x为满足0＜x≤1的数)薄膜在所述剥离面上外延生长，以在所述贴合的晶片上形成应变Si1-xGex(0＜x≤1)薄膜的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||