发明名称 |
一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法 |
摘要 |
本发明是一种单模高功率垂直腔面发射激光器,属半导体光电子领域。其特征在于,包括P型电极(1),P型Si衬底(2),金属键合层(3),P型分布布拉格反射镜(DBR)(4),氧化限制层(5),有源区(6),N型DBR(7),SiO2掩膜(8),聚酰亚胺或苯并环丁烯(BCB)(9),N电极(10),光子晶体(11),出光窗口(12)。在该结构的垂直腔面发射激光器中引入光子晶体,可增大氧化孔径,提高单模输出功率,同时采用键合技术将传统VCSEL外延片转移到Si衬底上和采用底部出光的设计,便于拉近VCSEL外延片有源区与Si衬底的距离,改善器件热学特性,进一步提高单模输出功率。 |
申请公布号 |
CN101667715B |
申请公布日期 |
2010.10.27 |
申请号 |
CN200810119581.5 |
申请日期 |
2008.09.03 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
渠红伟;郑婉华;刘安金;王科;张冶金;彭红玲;陈良惠 |
分类号 |
H01S5/183(2006.01)I;H01S5/187(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/183(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
王波波 |
主权项 |
一种单模高功率垂直腔面发射激光器,其特征在于,包括:一P型电极(1),该电极(1)制作在Si衬底(2)的下面,电极材料为TiAu或TiPtAu一Si衬底(2),采用P型Si衬底;一金属键合层(3),通过金属键合的方法将VCSEL外延层从GaAs衬底转移到P型Si衬底;一P型DBR(4),用于反射激光腔内的光来形成激光振荡,组成DBR的每对材料为调制掺杂且组分渐变的AlGaAs材料,提供低电阻和高反射率;一氧化限制层(5),通过对该层湿法氧化形成电、光限制;一有源区(6),该有源区材料是InGaAs、AlGaInAs、InGaNAs量子阱材料或者InGaAs/InAlAs量子点材料,有源区厚度为1λ,λ为激射波长用于产生光增益;一N型DBR(7),用于反射激光腔内的光来形成激光振荡,DBR的每对材料为调制掺杂且组分渐变的AlGaAs或突变的AlGaAs材料,提供低电阻和高反射率;一SiO2掩膜(8),采用等离子增强型化学汽相淀积(PECVD)方法淀积,起到绝缘层的作用;一聚酰亚胺(9),用于通过聚酰亚胺固化台面技术,垫高台面,防止电极断路;一N型电极(10),电极材料为AuGeNi/Au;一光子晶体(11),用于改善VCSEL模式特性,通过电子束曝光和ICP刻蚀的方法制备得到;以及一出光窗口(12)。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |