| 发明名称 | 溅射方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种反应性溅射方法，可不受靶的边缘区域上形成的绝缘膜的影响而维持高速率成膜。在向溅射室(11)内导入反应气体的同时，向该溅射室内与处理基板S相对设置的导电性靶(41)施加电力，在溅射室内形成等离子体气氛，对各个靶进行溅射，通过反应性溅射在所述处理基板表面形成规定的薄膜。在上述溅射方法中，通过向所述靶施加电力的溅射电源E监视累计投入电力，当该累计值达到规定值时，停止反应气体的导入，仅导入溅射气体对靶进行规定时间的溅射。 | ||
| 申请公布号 | CN101871092A | 申请公布日期 | 2010.10.27 |
| 申请号 | CN201010149872.6 | 申请日期 | 2010.04.19 |
| 申请人 | 株式会社爱发科 | 发明人 | 大石祐一;清田淳也;新井真;石桥哲;小林大士 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人 | 齐永红 |
| 主权项 | 一种溅射方法，所述方法在向溅射室内导入反应气体的同时，向该溅射室内与处理基板相对设置的导电性靶施加电力，通过反应性溅射在所述处理基板的表面上形成规定的薄膜，其特征在于，一旦向所述靶施加的电力的累计值达到规定值，就停止所述反应气体的导入，对靶进行溅射。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县矛崎市秋园2500番地 | ||