发明名称 一种Si-Al-C-N陶瓷先驱体的制备方法
摘要 (1)一种Si-Al-C-N陶瓷先驱体的制备方法,其包括以下步骤:将主链含硅的氯硅烷经含-NH2的化合物氨解,过滤,再减压蒸馏,得到聚硅氮烷;(2)取一定量的聚硅氮烷置于三口烧瓶中,加有机溶剂四氢呋喃或甲苯溶解,按照Si和Al的摩尔比为1-5:1或1:2,加入含有Al-H的有机铝化合物;(3)在N2气氛保护下,将三口烧瓶置于室温下持续搅拌反应24-72h;(4)反应后在60-90℃减压蒸馏去除溶剂,即得到Si-Al-C-N陶瓷先驱体。本发明原料化合物多样、来源广泛;先驱体中Al的含量可控可调,Al在先驱体中可达分子级别匀化。反应过程易于控制,合成产率高,产物纯度高,热解产物具有优异耐高温性能和高温抗氧化性能。
申请公布号 CN101870585A 申请公布日期 2010.10.27
申请号 CN201010218392.0 申请日期 2010.07.06
申请人 中国人民解放军国防科学技术大学 发明人 谢征芳;蔡溪南;锁兴文;王军;薛金根;陈朝辉
分类号 C04B35/58(2006.01)I;C04B35/56(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B35/58(2006.01)I
代理机构 长沙星耀专利事务所 43205 代理人 宁星耀
主权项 一种Si-Al-C-N陶瓷先驱体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将主链含硅的氯硅烷经含-NH2的化合物氨解,过滤,再减压蒸馏,得到聚硅氮烷;(2)取一定量的聚硅氮烷置于三口烧瓶中,加有机溶剂四氢呋喃或甲苯溶解,按照Si和Al的原子摩尔比为1-5:1或1:2,加入含有Al-H的有机铝化合物;(3)在N2气氛保护下,将三口烧瓶置于室温下持续搅拌反应24-72 h;(4)反应后在60-90 ℃减压蒸馏去除溶剂,即得到Si-Al-C-N陶瓷先驱体。
地址 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街137号