发明名称 |
固态成像装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种固态成像装置及其制造方法。该固态成像装置包括:光电转换元件,以矩阵图案形成于半导体基板上;垂直传输元件,每个都从在列方向布置的光电转换元件读取信号电荷并且在垂直方向传输该信号电荷;以及水平传输元件,在水平方向传输来自各个垂直传输元件的信号电荷。水平传输元件包括:电荷传输通道;第一传输电极;第二传输电极;以及电极间绝缘膜,其中,第一传输电极和第二传输电极具有相同的电势。 |
申请公布号 |
CN101872776A |
申请公布日期 |
2010.10.27 |
申请号 |
CN201010164606.0 |
申请日期 |
2010.04.19 |
申请人 |
索尼公司 |
发明人 |
寺田尚史;畑野启介 |
分类号 |
H01L27/148(2006.01)I;H04N5/335(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/148(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
彭久云 |
主权项 |
一种固态成像装置,包括:光电转换元件,以矩阵图案形成在半导体基板上;垂直传输元件,每个所述垂直传输元件从在列方向上布置的所述光电转换元件读取信号电荷并且在垂直方向传输所述信号电荷;以及水平传输元件,在水平方向传输来自每个所述垂直传输元件的所述信号电荷,其中,所述水平传输元件包括:在所述半导体基板上形成的电荷传输通道,包括交替布置的第一电荷传输通道和第二电荷传输通道,所述第二电荷传输通道的杂质浓度低于所述第一电荷传输通道的杂质浓度;在所述第一电荷传输通道上形成的第一传输电极,栅极绝缘膜介于所述第一电荷传输通道和所述第一传输电极之间;在所述第二电荷传输通道上形成的第二传输电极,栅极绝缘膜介于所述第二电荷传输通道和所述第二传输电极之间;电极间绝缘膜,形成在所述第一电荷传输通道和所述第二电荷传输通道之间的交界之上并在所述第一传输电极和所述第二传输电极之间,其中所述第一传输电极和所述第二传输电极具有相同的电势。 |
地址 |
日本东京都 |