发明名称 一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法
摘要 一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法,涉及太阳能电池。提供一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法。将P型多晶硅片清洗后,再以三氯氧磷为源扩磷,然后用氢氟酸腐蚀去表面的磷硅玻璃层,得扩磷后的多晶硅片;在扩磷后的多晶硅片的N型层上光刻出圆形传输线模型图形,再生长氧化锌掺铝薄膜,得样品;将样品浸泡在丙酮中,剥离多晶硅片N型层上的光刻胶后,退火,得掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触。所制备的掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触,通过不同退火的时间和温度由实验得到最优的欧姆接触制备条件,得到最佳的比接触电阻,提高多晶硅太阳电池的光电转换效率,满足器件性能要求,可用于高效率硅太阳能电池透明电极的制备。
申请公布号 CN101872801A 申请公布日期 2010.10.27
申请号 CN201010177758.4 申请日期 2010.05.20
申请人 厦门大学 发明人 陈朝;杨倩;潘淼;庞爱锁;何发林;李艳华;武智平;郑兰花;罗学涛
分类号 H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 厦门南强之路专利事务所 35200 代理人 马应森
主权项 一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)将P型多晶硅片清洗后,再以三氯氧磷为源扩磷,然后用氢氟酸腐蚀去表面的磷硅玻璃层,得扩磷后的多晶硅片;2)在扩磷后的多晶硅片的N型层上光刻出圆形传输线模型图形,再生长氧化锌掺铝薄膜,得样品;3)将样品浸泡在丙酮中,剥离多晶硅片N型层上的光刻胶后,退火,得掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触。
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