发明名称 一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法
摘要 本发明公开了一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法,它涉及光电探测器材料检测技术。本发明采用高密度、低能量的诱导耦合等离子体(ICP)增强反应离子刻蚀(RIE)的方法,来显现红外CZT衬底缺陷的技术方案,巧妙地运用了ICP增强RIE刻蚀速率的精确可控性,以及在红外CZT衬底正常区域和缺陷区域的不一致性,有效解决了常规缺陷显现方法存在去除衬底速率不可控、缺陷轮廓菱角模糊的问题。本发明方法具有工艺简单、稳定性好以及显现清晰的特点。
申请公布号 CN101872803A 申请公布日期 2010.10.27
申请号 CN201010182276.8 申请日期 2010.05.21
申请人 中国科学院上海技术物理研究所 发明人 叶振华;尹文婷;王建新;方维政;杨建荣;陈昱;林春;胡晓宁;丁瑞军;何力
分类号 H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人 郭英
主权项 一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法,其特征在于包括以下步骤:A.样品清洗:将CZT衬底刻蚀样品(4)分别置于65℃的三氯乙烯、丙酮和酒精三种有机溶剂中清洗;B.使用真空油脂将CZT衬底刻蚀样品(4)粘贴在刻蚀样品台上,而后进行腔体的抽真空,直至真空度达到设定值3×10-5Torr;C.CZT衬底刻蚀样品(4)的ICP增强RIE的工艺气体选用CH4、N2和Ar,配比为1-3∶3-8∶15-30,并使其中的N2、Ar从上进气线圈(8)进入腔体(5),而CH4从下进气线圈(7)进入腔体(5);D.等离子体刻蚀功率为300-800W,控制等离子体刻蚀能量的RF功率为5-30W,腔体压力为3-8×10-3Torr,样品台温度为10-30℃。
地址 200083 上海市玉田路500号