发明名称 |
排气系统及使用此系统制造薄膜的半导体制造装置与方法 |
摘要 |
一种半导体制造装置以及使用此装置制作薄膜的方法,半导体制造装置包括具有预先定义反应空间的腔室;喷头单元,用以注入经由气体供应孔导入的预先定义气体至腔室,喷头单元包括挡板、加热区块以及泵接口,其中挡板是与气体供应孔结合在一起,加热区块是在喷头单元之下以允许晶圆置于其上,而泵接口包括多个排气孔。由于可以轻易地处理高温控制,所以可形成高温硬罩幕,以改善薄膜的品质。再者,反应气体可均匀地分布在喷头上且可透过喷头使用与气体供应孔结合在一起的挡板来均匀与快速地注入在置于加热器上的基质上。再者,反应气体透过喷头到达基质所花的时间会最小,其可最小化稳定反应温度所需的时间。另外,设备的维护时间与成本也会降低。 |
申请公布号 |
CN101179005B |
申请公布日期 |
2010.10.27 |
申请号 |
CN200610138272.3 |
申请日期 |
2006.11.10 |
申请人 |
TES股份有限公司 |
发明人 |
朴根五 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;C23C16/00(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I;H05H1/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 |
代理人 |
寿宁;张华辉 |
主权项 |
一种气体注入系统,包括:气体供应装置,其包括气体供应孔,其中气体可经由所述气体供应孔来提供;挡板,不具有开孔,所述挡板是与所述气体供应孔结合在一起并且具有相同或大于气体供应孔的尺寸,且所述挡板是设置于所述气体供应孔下方并与所述气体供应孔相分离,使所述气体供应孔所喷出的气体碰撞所述挡板至少一次;以及喷头,其配置于所述挡板下方,用以均匀地注入所述气体至腔室,且所述喷头的尺寸大于所述挡板的尺寸。 |
地址 |
韩国京畿道龙仁市杨智面霁日里640-1 |