| 发明名称 | 用于减少串扰的多层图像传感器像素结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了用于减少串扰的多层图像传感器像素结构。图像传感器像素包括衬底、第一外延层、收集器层、第二外延层和光收集区域。衬底被掺杂为具有第一导电类型。第一外延层被布置在衬底之上并且被掺杂为也具有第一导电类型。收集器层被选择性地布置在第一外延层的至少一部分上并且被掺杂为具有第二导电类型。第二外延层被布置在收集器层上并且被掺杂为具有第一导电类型。光收集区域收集光生电荷载流子并被布置在第二外延层内。光收集区域也被掺杂为具有第二导电类型。 | ||
| 申请公布号 | CN101872775A | 申请公布日期 | 2010.10.27 |
| 申请号 | CN201010159246.5 | 申请日期 | 2010.04.26 |
| 申请人 | 美商豪威科技股份有限公司 | 发明人 | 文森特·瓦乃兹艾;阿施施·沙哈;杨荣生;毛杜立;钱胤;戴幸志;霍华德·E·罗兹 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H04N5/335(2006.01)I;H04N3/15(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 宋鹤;南霆 |
| 主权项 | 一种图像传感器像素，包括：衬底，被掺杂为具有第一导电类型；第一外延层，被布置在所述衬底之上并且被掺杂为具有所述第一导电类型；收集器层，被选择性地布置在所述第一外延层的至少一部分上并且被掺杂为具有第二导电类型；第二外延层，被布置在所述收集器层上并且被掺杂为具有所述第一导电类型；以及光收集区域，被布置在所述第二外延层内并用于收集光生电荷载流子，其中，所述光收集区域被掺杂为具有所述第二导电类型。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||