发明名称 绝缘膜形成用组合物和其制法及二氧化硅系绝缘膜和其形成法
摘要 本发明的绝缘膜形成用组合物含有水解缩合物和有机溶剂,所述水解缩合物是在(B)成分存在的条件下将(A)成分水解缩合而得到的。所述(B)成分为聚碳硅烷,其含有主链以-(Si-CH2)x-表示的结构,而且具有用下述通式(4)表示的结构、用下述通式(5)表示的结构、用下述通式(6)表示的结构以及用下述通式(7)表示的结构;所述(A)成分为选自用下述通式(1)~(3)表示的化合物中的至少1种的硅烷化合物。RaSi(OR1)4-a……(1)Si(OR2)4……(2)R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c……(3)
申请公布号 CN1950473B 申请公布日期 2010.10.27
申请号 CN200580014628.6 申请日期 2005.04.28
申请人 JSR株式会社 发明人 秋山将宏;中川恭志;黑泽孝彦;盐田淳
分类号 C08G77/50(2006.01)I;C09D183/14(2006.01)I;B05D5/12(2006.01)I;B05D7/24(2006.01)I;C09D5/25(2006.01)I;C09D7/12(2006.01)I;C09D183/02(2006.01)I;C09D183/04(2006.01)I;C09D183/08(2006.01)I;H01B3/46(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I 主分类号 C08G77/50(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 苗堃;刘继富
主权项 1.一种绝缘膜形成用组合物,其特征在于,含有水解缩合物和有机溶剂,所述水解缩合物是在(B)成分存在的条件下将(A)成分水解缩合而得到的,所述(B)成分为聚碳硅烷,其含有主链以-(Si-CH<sub>2</sub>)<sub>x</sub>-表示的结构,而且具有用下述通式(4)表示的结构、用下述通式(5)表示的结构、用下述通式(6)表示的结构以及用下述通式(7)表示的结构,在所述(B)成分的分子中,以下述通式(4)表示的结构为5~20摩尔%,以下述通式(5)表示的结构为5~20摩尔%,以下述通式(6)表示的结构为20~50摩尔%,以下述通式(7)表示的结构为30~60摩尔%,所述(A)成分为选自用下述通式(1)~(3)表示的化合物中的至少1种的硅烷化合物,R<sub>a</sub>Si(OR<sup>1</sup>)<sub>4-a</sub>……(1)式(1)中,R表示氢原子、氟原子或者1价的有机基团,R<sup>1</sup>表示1价的有机基团,a表示1~2的整数;Si(OR<sup>2</sup>)<sub>4</sub>……(2)式(2)中,R<sup>2</sup>表示1价的有机基团;R<sup>3</sup><sub>b</sub>(R<sup>4</sup>O)<sub>3-b</sub>Si-(R<sup>7</sup>)<sub>d</sub>-Si(OR<sup>5</sup>)<sub>3-c</sub>R<sup>6</sup><sub>c</sub>……(3)式(3)中,R<sup>3</sup>~R<sup>6</sup>相同或者相异、分别表示1价的有机基团,b以及c相同或者相异、表示0~2的整数,R<sup>7</sup>表示氧原子、亚苯基或者以-(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>-表示的基团,在此,m是1~6的整数,d表示0或者1;<img file="FA20176111200580014628601C00011.GIF" wi="785" he="461" /><img file="FA20176111200580014628601C00021.GIF" wi="786" he="398" />式(5)中,R<sup>8</sup>表示选自氢原子、卤原子、羟基、烷氧基、酰氧基中的基团;<img file="FA20176111200580014628601C00022.GIF" wi="767" he="354" />式(6)中,R<sup>9</sup>以及R<sup>10</sup>相同或者相异,表示选自氢原子、卤原子、羟基、烷氧基、酰氧基中的基团;<img file="FA20176111200580014628601C00023.GIF" wi="789" he="363" />式(7)中,R<sup>11</sup>~R<sup>13</sup>相同或者相异,表示选自氢原子、卤原子、羟基、烷氧基、酰氧基中的基团。
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