半导体器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件的制造方法，该方法包括：提供形成有栅极的半导体衬底；在半导体衬底和栅极上依次形成第一氧化层、氮化硅层和第二氧化层；刻蚀第二氧化层、氮化硅层和第一氧化层直至暴露栅极顶部，形成侧壁层；执行氩离子注入工艺；执行湿法刻蚀工艺；在侧壁层两侧的半导体衬底中形成源极和漏极；在半导体衬底、侧壁层和栅极表面形成自对准阻挡层，自对准阻挡层具有暴露栅极、源极和漏极的开口；执行氩离子溅射工艺；在栅极、源极和漏极表面形成自对准金属硅化物。本发明可有效去除侧壁层角落处剩余的第二氧化层，确保自对准金属硅化物的质量，提高半导体器件的电学性能。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供形成有栅极的半导体衬底；在所述半导体衬底和栅极上依次形成第一氧化层、氮化硅层和第二氧化层；刻蚀第二氧化层、氮化硅层和第一氧化层直至暴露栅极顶部，形成侧壁层；执行氩离子注入工艺；执行湿法刻蚀工艺；在所述侧壁层两侧的半导体衬底中形成源极和漏极；在所述半导体衬底、侧壁层和栅极表面形成自对准阻挡层，所述自对准阻挡层具有暴露所述栅极、源极和漏极的开口；执行氩离子溅射工艺；在所述栅极、源极和漏极表面形成自对准金属硅化物。