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一种热写磁读之记录媒体，其包含：一基板；一底层，其位于该基板上；一缓冲层，其位于该底层上；一磁性层，其位于该缓冲层上，其中该磁性层系一具有垂直异向性及高饱和磁化量之FexPt100-x层；以及一记录及读出层，其位于该磁性层上，其中该记录及读出层系一具有垂直异向性及低饱和磁化量之CoyTb100-y层。如申请专利范围第1项所述之记录媒体，其中该基板系选自一石英玻璃基板与一氧化矽基板其中之一。如申请专利范围第1项所述之记录媒体，其中该底层系一铬层。如申请专利范围第3项所述之记录媒体，其中该铬层之厚度系10nm至100nm。如申请专利范围第4项所述之记录媒体，其中该铬层之厚度为70nm。如申请专利范围第1项所述之记录媒体，其中该缓冲层系一铂层。如申请专利范围第6项所述之记录媒体，其中该铂层之厚度系1nm至10mm。如申请专利范围第7项所述之记录媒体，其中该铂层之厚度系2mm。如申请专利范围第1项所述之记录媒体，其中x系45~55，而y系65.8~72。如申请专利范围第9项所述之记录媒体，其中x系50，而y系70.44。如申请专利范围第1项所述之记录媒体，其中该FexPt100-x层之厚度系5nm至60nm，而该CoyTb100-y层之厚度系20nm至60nm。如申请专利范围第11项所述之记录媒体，其中该FexPt100-x层之厚度系20nm，而该CoyTb100-y层之厚度系50nm。如申请专利范围第1项所述之记录媒体，更包含一保护层，其位于该记录及读出层上。如申请专利范围第13项所述之记录媒体，其中该保护层系一矽氮化物层。一种用于制造一热写磁读记录媒体之方法，其包含下列步骤：(a)提供一基板；(b)对该基板进行一持温处理；(c)于该基板上形成一铬底层；(d)于该铬底层上形成一铂缓冲层；(e)于该铂缓冲层上形成一具有垂直异向性及高饱和磁化量之FexPt100-x层；以及(f)于该FexPt100-x层上形成一具有垂直异向性及低饱和磁化量之CoyTb100-y层。如申请专利范围第15项所述之方法，其于步骤(b)中更包含下列步骤：加热该基板至一第一温度。如申请专利范围第16项所述之方法，其中该第一温度系低于800℃。如申请专利范围第17项所述之方法，其中该第一温度系350℃。如申请专利范围第16项所述之方法，其中，该持温处理之时间为5至90分钟。如申请专利范围第19项所述之方法，其中该持温处理之温度系350℃，而时间为30分钟。如申请专利范围第15项所述之方法，其中该持温处理系于一工作压力为1×10-6毫托耳之条件下进行。如申请专利范围第15项所述之方法，其于步骤(d)中，该铂缓冲层系于一第二温度形成于该铬底层上，其中该第二温度系低于800℃。如申请专利范围第22项所述之方法，其中该第二温度系350℃。如申请专利范围第15项所述之方法，其于步骤(e)中，该FexPt100-x层系于一第三温度形成于该铂缓冲层上，其中该第三温度系低于800℃。如申请专利范围第24项所述之方法，其中该第三温度系420℃。如申请专利范围第15项所述之方法，其于步骤(f)中，该CoyTb100-y层系于一第四温度形成于该FexPt100-x层上，其中该第四温度系低于50℃。如申请专利范围第26项所述之方法，其中该第四温度系25℃。如申请专利范围第15项所述之方法，其中该铬底层、该铂缓冲层、该FexPt100-x层与该CoyTb100-y层系藉由一超高真空直流磁控溅镀系统而沉积形成。如申请专利范围第28项所述之方法，其中该铬底层、该铂缓冲层、该FexPt100-x层与该CoyTb100-y层系于氩气压力为2至12毫托耳之条件下沉积而成。如申请专利范围第29项所述之方法，其中该铬底层、该铂缓冲层、该FexPt100-x层与该CoyTb100-y层系于氩气压力为5毫托耳之条件下沉积而成。如申请专利范围第28项所述之方法，其中该FexPt100-x层系于直流溅镀功率为0.2至0.5W/cm2之条件下沉积而成。如申请专利范围第31项所述之方法，其中该FexPt100-x层系于直流溅镀功率为0.22W/cm2之条件下沉积而成。如申请专利范围第28项所述之方法，其中该CoyTb100-y层系于直流溅镀功率为1至4W/cm2之条件下沉积而成。如申请专利范围第33项所述之方法，其中该CoyTb100-y层系于直流溅镀功率为2.96W/cm2之条件下沉积而成。如申请专利范围第15项所述之方法，更包含下列步骤：(g)形成一保护层于该CoyTb100-y层上，其中该保护层系一矽氮化物层。如申请专利范围第35项所述之方法，其中该保护层系藉由一射频磁控溅镀系统而于射频功率为2至7 W/cm2之条件下沉积形成。如申请专利范围第36项所述之方法，其中该保护层系于射频功率为2.47W/cm2之条件下沉积形成。 |
