发明名称 光阻用剥离液
摘要
申请公布号 TWI332126 申请公布日期 2010.10.21
申请号 TW095116976 申请日期 2006.05.12
申请人 东京应化工业股份有限公司 发明人 横井滋;山之内笃史
分类号 G03F7/42 主分类号 G03F7/42
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种光阻用剥离液,其特征系实质上由(a)季铵氢氧化物、与(b)至少1种选自二醇类、二醇醚类中之水溶性有机溶媒、及(c)非胺系水溶性有机溶媒所成,且不含水。如申请专利范围第1项之光阻用剥离液,其中(a)成份为下述一般式(I)@sIMGTIF!d10001.TIF@eIMG!(式中,R1、R2、R3、R4代表分别独立的碳原子数1~6之烷基或羟烷基)所示之化合物。如申请专利范围第1项之光阻用剥离液,其中(b)成份为至少1种选自乙二醇、丙二醇、二乙二醇单丁醚。如申请专利范围第1项之光阻用剥离液,其中(c)成份为二甲亚碸(DMSO)。如申请专利范围第1项之光阻用剥离液,其中(c)成份系二甲亚碸(DMSO)单独溶媒,或由二甲亚碸(DMSO)与N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)所成之DMSO/NMP=1.9以上(质量比)之混合溶媒。如申请专利范围第1项之光阻用剥离液,其中使用二甲亚碸(DMSO)为(c)成份,含0.1~10质量%之(a)成份,5~40质量%之(b)成份,50~95质量%之(c)成份。如申请专利范围第1项之光阻用剥离液,其中(c)成份系使用二甲亚碸(DMSO)之单独溶媒,或由二甲亚碸(DMSO)与N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)所成之DMSO/NMP=1.9以上(质量比)之混合溶媒,且含0.5~5质量%之(a)成份、5~30质量%之(b)成份、65~95质量%之(c)成份。如申请专利范围第6项之光阻用剥离液,其为用于液晶面板之制造步骤的光阻用剥离液,为在设置于玻璃基板上之透明绝缘膜面上所形成之光阻图型之剥离而使用者。如申请专利范围第8项之光阻用剥离液,其中透明绝缘膜为丙烯酸系透明膜。如申请专利范围第7项之光阻用剥离液,其为用于半导体元件之封装制造步骤的光阻用剥离液,为在具金属薄膜之基板上的光阻图型非形成部(金属薄膜露出部)形成导电层后之该光阻图型之剥离而使用者。如申请专利范围第10项之光阻用剥离液,其中金属薄膜及导电层系由铜所成者。如申请专利范围第10项之光阻用剥离液,其中光阻图型系藉照射放射线聚合,使用硷不溶化之负型光阻组成物所形成之光硬化图型。
地址 日本