| 主权项 |
一种半导体元件的制作方法，包括：提供一基底，该基底上已形成有一闸极结构；于该闸极结构两侧之该基底中形成一源极/汲极延伸区；于该闸极结构之侧壁上形成一间隙壁；于该间隙壁远离该闸极结构一侧之该基底中形成一源极/汲极区；进行一倾斜角碳原子植入制程，将碳原子植入于该基底中；在进行该倾斜角碳原子植入制程之后，对该源极/汲极区进行一前置非晶化植入步骤；以及于该闸极结构与该源极/汲极区上形成一金属矽化物层。如申请专利范围第1项所述之半导体元件的制作方法，其中该倾斜角碳原子植入制程是在形成该闸极结构之后以及形成该源极/汲极延伸区之前进行。如申请专利范围第1项所述之半导体元件的制作方法，其中该倾斜角碳原子植入制程是在形成该源极/汲极延伸区之后以及形成该间隙壁之前进行。如申请专利范围第1项所述之半导体元件的制作方法，其中该倾斜角碳原子植入制程是在形成该间隙壁之后以及形成该源极/汲极区之前进行。如申请专利范围第1项所述之半导体元件的制作方法，其中该倾斜角碳原子植入制程是在形成该源极/汲极区之后以及形成该金属矽化物层之前进行。如申请专利范围第1项所述之半导体元件的制作方法，更包括在形成该源极/汲极区之后以及形成该金属矽化物层之前，进行一热制程，且该倾斜角碳原子植入制程是在形成该源极/汲极区之后以及进行该热制程之前进行，且该前置非晶化植入步骤是在进行该热制程之后以及形成该金属矽化物之前进行。如申请专利范围第1项所述之半导体元件的制作方法，其中该倾斜角碳原子植入制程是在形成该源极/汲极区之后以及进行该前置非晶化植入步骤之前进行。如申请专利范围第1项所述之半导体元件的制作方法，其中该倾斜角碳原子植入制程的植入剂量介于1×1014atom/cm2至5×1015atom/cm2之间。如申请专利范围第1项所述之半导体元件的制作方法，其中该倾斜角碳原子植入制程所的植入能量介于1KeV至12KeV之间。如申请专利范围第1项所述之半导体元件的制作方法，其中该倾斜角碳原子植入制程的植入角度介于0°至45°之间。一种半导体元件的制作方法，包括：提供一基底，该基底上已形成有一闸极结构；于该闸极结构两侧之该基底中形成一源极/汲极延伸区；进行一共离子植入制程；于该闸极结构之侧壁上形成一间隙壁；于该间隙壁远离该闸极结构一侧之该基底中形成一源极/汲极区；进行一倾斜角碳原子植入制程，将碳原子植入于该基底中；在进行该倾斜角碳原子植入制程之后，对该源极/汲极区进行一前置非晶化植入步骤；以及于该闸极结构与该源极/汲极区上形成一金属矽化物层。如申请专利范围第11项所述之半导体元件的制作方法，其中该倾斜角碳原子植入制程是在形成该闸极结构之后以及形成该源极/汲极延伸区之前进行。如申请专利范围第11项所述之半导体元件的制作方法，其中该倾斜角碳原子植入制程是在形成该源极/汲极延伸区之后以及进行该共离子植入制程之前进行。如申请专利范围第11项所述之半导体元件的制作方法，其中该倾斜角碳原子植入制程是在进行该共离子植入制程之后以及形成该间隙壁之前进行。如申请专利范围第11项所述之半导体元件的制作方法，其中该倾斜角碳原子植入制程是在形成该间隙壁之后以及形成该源极/汲极区之前进行。如申请专利范围第11项所述之半导体元件的制作方法，其中该倾斜角碳原子植入制程是在形成该源极/汲极区之后以及形成该金属矽化物层之前进行。如申请专利范围第11项所述之半导体元件的制作方法，更包括在形成该源极/汲极区之后以及形成该金属矽化物层之前，进行一热制程，且该倾斜角碳原子植入制程是在形成该源极/汲极区之后以及进行该热制程之前进行，且该前置非晶化植入步骤是在进行该热制程之后以及形成该金属矽化物之前进行。如申请专利范围第11项所述之半导体元件的制作方法，其中该倾斜角碳原子植入制程是在形成该源极/汲极区之后以及进行该前置非晶化植入步骤之前进行。如申请专利范围第11项所述之半导体元件的制作方法，其中该共离子植入制程的掺质为碳或氟。如申请专利范围第11项所述之半导体元件的制作方法，其中该倾斜角碳原子植入制程的植入剂量介于1×1014atom/cm2至5×1015atom/cm2之间。如申请专利范围第11项所述之半导体元件的制作方法，其中该倾斜角碳原子植入制程所的植入能量介于1KeV至12KeV之间。如申请专利范围第11项所述之半导体元件的制作方法，其中该倾斜角碳原子植入制程的植入角度介于0°至45°之间。 |
