| 主权项 |
一种模塑型半导体雷射，系具有：由板状之导线架形成的晶粒焊垫以及复数支导脚；由一体保持该晶粒焊垫以及复数支导脚之模塑树脂所形成的封装件；经由副安装座而安装在前述晶粒焊垫上的雷射晶片；以及设在该雷射晶片之出射面前方的平行透明板；前述封装件至少具有：以前述晶粒焊垫以及复数支导脚的下面作为分隔线而由该分隔线覆盖前述导脚之上面侧的上部模塑树脂部，该上部模塑树脂部中形成有两个框体侧壁，该框体侧壁系朝着与前述雷射晶片之雷射光束之出射方向平行的方向延伸，且隔着前述雷射晶片在两侧延伸至比该雷射晶片出射面更前方处；用以利用校正像散之预定角度、而非与前述雷射光束之出射方向垂直的角度，使前述平行透明板配置在该两个框体侧壁的缝隙，系由前述框体侧壁之上面侧形成于较前述雷射晶片之下面(雷射晶片之副安装座侧的面)更深处，且仅形成于前述上部模塑树脂部，而形成前述平行透明板固定于该缝隙内的构造。如申请专利范围第1项之模塑型半导体雷射，其中，前述封装件系具备：隔着前述分隔线具有前述上部模塑树脂部与下部模塑树脂部，外形实质上呈圆形之主体部；以及设置在该主体部之中心部侧，朝着前述雷射光束之出射方向延伸的前述两个框体侧壁。如申请专利范围第2项之模塑型半导体雷射，其中，前述主体部系具有：用以固定导脚之底面；以及前述雷射晶片之上面侧呈开口状，而其他部分则形成外形大致圆形之边缘部。如申请专利范围第1项之模塑型半导体雷射，其中，前述缝隙之深度之设定，系该缝隙之底面与分隔线之间的距离设为x、前述晶粒焊垫之厚度设为T、前述副安装部之厚度设为S时，可形成0≦x≦T+S之关系者。如申请专利范围第4项之模塑型半导体雷射，其中，前述缝隙的深度系依照0≦x≦T之关系设定者。如申请专利范围第1项之模塑型半导体雷射，其中，前述缝隙的宽度系形成较平行透明板之厚度大30至50 μ m的宽度。如申请专利范围第1项之模塑型半导体雷射，其中，前述雷射晶片系2波长之脉动型雷射晶片。如申请专利范围第1项之模塑型半导体雷射，其中，前述封装件系仅由前述上部模塑树脂部所形成之扁平封装件，而前述缝隙系以不贯穿前述上部模塑树脂部之方式形成者。如申请专利范围第1项之模塑型半导体雷射，其中，将该缝隙之底面与分隔线之间的距离设为x、前述晶粒焊垫之厚度设为T、前述副安装部之厚度设为S时，前述缝隙的深度系设定成符合0<x≦T+S之关系。如申请专利范围第9项之模塑型半导体雷射，其中，前述缝隙的深度系设定成符合0<x≦T之关系。如申请专利范围第1项之模塑型半导体雷射，其中，系藉由去除前述缝隙前方之前述框体侧壁，使前述平行透明板得以固定在由形成于前述框体侧壁前端部的前述缝隙的一壁面与底面所形成的段差。 |
