| 主权项 |
一种CMOS影像感测器的制造方法，其中该CMOS影像感测器包括一低电压埋入式光二极体和一转移电晶体，该方法包含下列步骤：a)于基板上所形成之磊晶层之某一区域上形成用以界定出活性区域和场区域的场氧化物层，并于该活性区域之磊晶层上形成转移电晶体的闸极；b)依与转移电晶体的闸极和场氧化物层一侧对齐的方式形成一该低电压埋入式光二极体掺杂区；c)藉由在整个结构上方堆叠数层氧化物和氮化物以形成一间隔物绝缘层；d)形成一间隔物阻断遮罩以打开一排除掺杂区的区域以供形成该低电压埋入式光二极体；以及e)移除该间隔物阻断遮罩并于转移电晶体的另一侧上形成一浮动扩散区，其中将间隔物绝缘层形成于转移电晶体的闸极上。如申请专利范围第1项之CMOS影像感测器的制造方法，其中该氧化物层的厚度为200到1000埃，而该氮化物层的厚度则为200到1000埃。如申请专利范围第1项之CMOS影像感测器的制造方法，其中步骤b)包含以下步骤：利用一用以打开该低电压埋入式光二极体的掺杂区之遮罩来依序执行n-型离子植入和p-型离子植入。如申请专利范围第3项之CMOS影像感测器的制造方法，其中该间隔物阻断遮罩系藉由一用于打开该低电压埋入式光二极体用的掺杂区的遮罩以及一负性光阻层而形成。一种CMOS影像感测器的制造方法，其中该CMOS影像感测器包括一低电压埋入式光二极体和一转移电晶体，该方法包含下列步骤：a)于基板上所形成之磊晶层之某一区域上形成用以界定出活性区域和场区域的场氧化物层，并于该磊晶层之活性区域上形成转移电晶体的闸极；b)于电晶体闸极之间的磊晶层顶部形成一离子植入氧化物层，并于该磊晶层内部形成一用于该低电压埋入式光二极体的掺杂区；c)于整个结构上形成一牺牲性氮化物层并于该牺牲性氮化物层上形成一间隔物绝缘层；d)藉由覆盖蚀刻(blanket etching)于电晶体的两侧壁上形成间隔物；以及e)从该低电压埋入式光二极体的表面移除该牺牲性氮化物层的残留物，并于转移电晶体的另一侧上形成一浮动扩散区，其中将场氧化物层形成为不与转移电晶体之闸极接触。如申请专利范围第5项之CMOS影像感测器的制造方法，其中该离子植入氧化物层的厚度为100到500埃，而该牺牲性氮化物层的厚度则为100到500埃。如申请专利范围第5项之CMOS影像感测器的制造方法，其中该低电压埋入式光二极体的掺杂区之形成步骤进一步利用一用于打开该低电压埋入式光二极体用的掺杂区之遮罩来依序执行n-型离子植入和p-型离子植入。一种CMOS影像感测器的制造方法，其中该CMOS影像感测器包括一低电压埋入式光二极体和一转移电晶体，该方法包含下列步骤：a)于基板上所形成之磊晶层之某一区域上形成用以界定出活性区域和场区域的场氧化物层，并于该活性区域之磊晶层上形成转移电晶体的闸极；b)于该电晶体闸极与场氧化物层之间的磊晶层顶部形成一离子植入氧化物层，并于该磊晶层内部形成一用于该低电压埋入式光二极体的掺杂区；c)于整个结构上形成一牺牲性氮化物层并于该牺牲性氮化物层上形成一间隔物绝缘层；d)藉由覆盖蚀刻于电晶体的两侧壁上形成间隔物；以及e)于转移电晶体的另一侧上形成一浮动扩散区，其中将场氧化物层形成为不与转移电晶体之闸极接触。 |
