| 主权项 |
一种画素结构，包括：一扫描线；一闸极，与该扫描线电性连接，且该闸极具有一第一封闭开口；一第一介电层，覆盖该扫描线与该闸极；一通道层，配置于该闸极上方的该第一介电层上，且该通道层暴露出该第一封闭开口；一源极与一汲极，配置在该通道层上，其中部分该汲极位于该第一封闭开口上方；一资料线，配置在该第一介电层上，且与该源极电性连接；一第二介电层，覆盖该源极、该汲极与该资料线；一画素电极，配置于该第二介电层上，且与该汲极电性连接；以及一延伸线，连接于该资料线与该源极之间，其中该延伸线、该资料线与该源极形成一第三封闭开口。如申请专利范围第1项所述之画素结构，更包括一共用配线，适于电性连接至一共用电压，该共用配线部份位于该画素电极下方，且该共用配线的另一部份位于该资料线下方。如申请专利范围第1项所述之画素结构，其中该源极具有一第三凹口，该第三凹口位于该第一封闭开口上方，且该汲极的一端位于该第三凹口中。如申请专利范围第1项所述之画素结构，其中该扫描线部份位于该第三封闭开口中。如申请专利范围第1项所述之画素结构，其中该通道层具有一第二封闭开口，该第二封闭开口位于该第一封闭开口上方且暴露出该第一封闭开口。如申请专利范围第1项所述之画素结构，更包括一欧姆接触层，配置于该通道层、该源极与该汲极之间。一种画素结构的修补方法，适于修补如申请专利范围第4项所述之画素结构，该画素修补方法包括在该扫描线之两侧切断该资料线，使该资料线经由该延伸线与该源极导通。如申请专利范围第7项所述之修补方法，其中于该扫描线之两侧切断该资料线的方法包括雷射切割。 |
