| 主权项 |
一种增大氮化物薄膜之拉伸应力的方法，该方法包含下列步骤：设置一基板，其包含在该基板上所形成的含氢SiN薄膜；及将该SiN薄膜暴露于准直电磁辐射，以增加该SiN薄膜之拉伸应力。如申请专利范围第1项之增大氮化物薄膜之拉伸应力的方法，其中该电磁辐射为一多频电磁辐射，其包含波长小于约500 nm之组成。如申请专利范围第1项之增大氮化物薄膜之拉伸应力的方法，其中该电磁辐射包含一波长介于约125 nm与约500 nm之间的组成。如申请专利范围第1项之增大氮化物薄膜之拉伸应力的方法，其中该电磁辐射包含波长：157 nm、172 nm、193 nm、222 nm、248 nm、308 nm、或351 nm、或其中二者或更多者之组合。如申请专利范围第1项之增大氮化物薄膜之拉伸应力的方法，其中该电磁辐射密度系介于约10 mW/cm2与约1000 mW/cm2之间。如申请专利范围第1项之增大氮化物薄膜之拉伸应力的方法，其中该电磁辐射密度系介于约50 mW/cm2与约500 mW/cm2之间。如申请专利范围第1项之增大氮化物薄膜之拉伸应力的方法，其中该设置步骤包含提供拉伸应力介于约1 GPa与约1.5 GPa之间的SiN薄膜。如申请专利范围第7项之增大氮化物薄膜之拉伸应力的方法，其中该暴露步骤包含形成拉伸应力大于约1.5 GPa之SiN薄膜。如申请专利范围第7项之增大氮化物薄膜之拉伸应力的方法，其中该暴露步骤包含形成拉伸应力介于约1.5 GPa与约3 GPa之间的SiN薄膜。如申请专利范围第1项之增大氮化物薄膜之拉伸应力的方法，其中该电磁辐射系以垂直于该基板表面之方向加以校准。如申请专利范围第1项之增大氮化物薄膜之拉伸应力的方法，其中该基板更包含一含有至少一掺杂区域的装置、及形成于该基板上之闸极堆叠。如申请专利范围第11项之增大氮化物薄膜之拉伸应力的方法，其中该电磁辐射系以垂直于该基板表面之方向加以校准。如申请专利范围第1项之增大氮化物薄膜之拉伸应力的方法，更包含：使该SiN薄膜在该暴露步骤之前、期间、或之后、或其两者或更多之组合退火。如申请专利范围第1项之增大氮化物薄膜之拉伸应力的方法，其中该设置步骤包含提供含有介于约10原子百分比与约50原子百分比之间的氢的SiN薄膜。如申请专利范围第1项之增大氮化物薄膜之拉伸应力的方法，其中该设置步骤包含提供含有介于约20原子百分比与约40原子百分比之间的氢的SiN薄膜。如申请专利范围第1项之增大氮化物薄膜之拉伸应力的方法，其中使该基板维持在约200℃至约1000℃之间的温度范围内。如申请专利范围第1项之增大氮化物薄膜之拉伸应力的方法，其中使该基板维持在约400℃至约700℃之间的温度范围内。如申请专利范围第1项之增大氮化物薄膜之拉伸应力的方法，更包含重复该设置步骤与该暴露步骤，直到该SiN薄膜具有一预定厚度为止。如申请专利范围第18项之增大氮化物薄膜之拉伸应力的方法，其中该SiN薄膜之厚度在该重复步骤之后系介于约100埃与约1微米之间。如申请专利范围第1项之增大氮化物薄膜之拉伸应力的方法，其中该暴露步骤系在约10-5Torr与约3000 mTorr之间的压力下进行。如申请专利范围第1项之增大氮化物薄膜之拉伸应力的方法，其中该暴露步骤更包含将该SiN薄膜暴露于准直电磁辐射，以异向性地减少该SiN薄膜之氢含量。一种半导体装置，包含：一基板；一SiN薄膜，其安置于该基板上，该SiN薄膜系由在该基板上提供一含氢SiN薄膜而形成，且将该提供之SiN薄膜暴露于准直电磁辐射，以增加该SiN薄膜之拉伸应力。如申请专利范围第22项之半导体装置，其中该SiN薄膜在该暴露步骤之前具有介于约1GPa与1.5GPa之间的拉伸应力。如申请专利范围第23项之半导体装置，其中该SiN薄膜在该暴露步骤之后具有大于约1.5GPa之拉伸应力。如申请专利范围第23项之半导体装置，其中该SiN薄膜在该暴露步骤之后具有介于约1.5GPa与3GPa之间的拉伸应力。如申请专利范围第22项之半导体装置，其中该基板更包含一含有至少一掺杂区域之装置、及形成于该基板上之闸极堆叠。如申请专利范围第22项之半导体装置，其中该电磁辐射系以垂直于该基板表面之方向加以校准。如申请专利范围第22项之半导体装置，其中该SiN薄膜在该暴露步骤之前包含介于约10原子百分比与约50原子百分比之间的氢。如申请专利范围第22项之半导体装置，其中该SiN薄膜在该暴露之前，包含介于约20原子百分比与约40原子百分比之间的氢。如申请专利范围第22项之半导体装置，其中该SiN薄膜之厚度系介于约100埃与约1微米之间。如申请专利范围第22项之半导体装置，其中将该提供之SiN薄膜暴露于准直电磁辐射，以异向性地减少该SiN薄膜之氢含量。 |
