发明名称 具有改良光输出之有机发光二极体装置
摘要
申请公布号 TWI332369 申请公布日期 2010.10.21
申请号 TW092123194 申请日期 2003.08.22
申请人 全球OLED科技公司 发明人 朗诺S. 柯克
分类号 H05B33/00 主分类号 H05B33/00
代理机构 代理人 洪尧顺 台北市内湖区行爱路176号3楼
主权项 一种OLED装置,包括:a)一基材;b)一OLED,其具有一形成于该基材上之第一电极、一形成于该第一电极上之有机发光材料层、及一形成于该有机发光材料层上而界定发光区之第二电极,其中该OLED所发射之光于该装置中具有不期望之波导;及c)一外形特征,位于该发光区内,用以破坏该波导,其中该外形特征与位于该发光区内之任另一外形特征系间隔一大于2微米之周期,以改善该发光区之发光效率并且避免一绕射效应之产生。如申请专利范围第1项之OLED装置,其中该OLED装置系为具有多个可个别定址之发光像素的显示装置,而该发光区系为单一像素。如申请专利范围第2项之OLED装置,其中该显示装置系为具有不同色彩像素之彩色显示器。如申请专利范围第1项之OLED装置,其中该OLED装置系为具有一或多个发光区之区域照明灯。如申请专利范围第1项之OLED装置,其中该外形特征系由基材中之特征界定。如申请专利范围第1项之OLED装置,其中该外形特征系由位在该有机发光材料层底下之绝缘层中的特征所界定。如申请专利范围第1项之OLED装置,其中该外形特征系由位于该第一电极中之特征所界定。如申请专利范围第1项之OLED装置,其中该外形特征系为脊峰或凹谷。如申请专利范围第1项之OLED装置,其中该外形特征系为位在凹谷中之脊峰。如申请专利范围第1项之OLED装置,其中该外形特征系具有三角形剖面。如申请专利范围第10项之OLED装置,其中该三角形剖面系具有与基材排列成45度之侧边。如申请专利范围第1项之OLED装置,其中该有机发光材料层通常系为平面,且尚包括位于该外形特征边缘上之反射性表面。如申请专利范围第1项之OLED装置,其中该外形特征系包括具有异于该有机发光材料层之折射率的材料。如申请专利范围第1项之OLED装置,其中该外形特征系于该发光区内形成矩形或六边形光栅。如申请专利范围第14项之OLED装置,其中该光栅于发光区上非连续。如申请专利范围第3项之OLED装置,其中该外形特征系具有与像素色彩相依之结构。如申请专利范围第16项之OLED装置,其中该结构系周期性,而该结构周期系与像素色彩相依。如申请专利范围第1项之OLED装置,其中该第二电极系具有一与该有机发光材料层接触而服贴于该外形特征之侧边,及一实质压平之相对侧边。如申请专利范围第1项之OLED装置,其尚包括环绕该发光区以破坏波导之机制。
地址 美国