摘要 |
<p>Zur Herstellung eines Hochtemperatursensors mit Leiterbahnstruktur(3) auf einem Substrat (1), die an Kontaktfeldern (Pads 4, 5) endet, werden an den Kontaktfeldern (4, 5, 7, 8) Anschlussdrähte (10, 11) auf Basis von Unedelmetallen durch Kontaktschweißen befestigt. Danach wird im Bereich der Kontaktfelder (4, 5) eine Glas- oder Glaskeramikpaste eingebrannt, die die Kontaktfelder (4, 5, 7, 8) und die Enden der Leiterbahn(en) und Anschlussdrähte abdeckt. Erfindungsgemäß differieren die Wärmeausdehnungskoeffizienten bis 1000°C des keramischen Substrats (1) und der Anschlussdrähte (10, 11) weniger als 7 x 10-4/K, insbesondere weniger als 5 x 10-4/K, und die Anschlussdrähte (10, 11) weisen eine unter den Bedingungen des Kontaktschweißens elektrisch leitende Oxidhaut auf. Insbesondere liegt der Widerstand des Anschlussdrahtes (10, 11) bei 200°C unter 90 µOcm, insbesondere unter 80 µOcm. Eine Chromoxid, insbesondere Chrom-Mangan-Spinell bildende Eisenlegierung hat sich als Basismaterial des Anschlussdrahtes bewährt. Diese Hochtemperatursensoren oder Schichtwiderstände funktionieren bei Temperaturen zwischen 800°C und 900°C.</p> |