Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements

摘要

Ein Halbleiterbauelement weist eine erste Halbleiterschicht eines ersten Leitungstyps und eine zweite Halbleiterschicht eines zweiten Leitungstyps komplementär zu dem ersten Leitungstyp auf, die in oder auf der ersten Halbleiterschicht angeordnet ist. Das Halbleiterbauelement hat einen Bereich des ersten Leitungstyps, der in der zweiten Halbleiterschicht angeordnet ist. Eine erste Elektrode kontaktiert den Bereich des ersten Leitungstyps und die zweite Halbleiterschicht. Ein Trench erstreckt sich bis in die erste Halbleiterschicht hinein und eine spannungsabhängige Kurzschluss-Ableiterstruktur weist einen hochdotierten Ableiterbereich des zweiten Leitungstyps auf. Dieser Ableiterbereich ist am Ende eines Kanalgebietes angeordnet und mit einer in dem Trench angeordneten Diode gekoppelt.