Lithographische Maske und Verfahren zur Herstellung der lithographischen Maske

摘要

Die vorliegende Erfindung betrifft eine lithographische Maske, die mindestens eine erste Schicht (31) mit Gräben (33) und eine zweite Schicht (32) aufweist. Die zweite Schicht (32) hat Abschnitte (321) und eine Gebiete (322), in der zweiten Schicht (32) umschließende, grabenartige, transparente Struktur (200) und wirkt beim Ätzen der Gräben (33) in die erste Schicht (31) als Maske. Die erste und die zweite Schicht (31, 32) sind so ausgeführt, dass elektrische Potentialdifferenzen in der zweiten Schicht (32) verringert oder nicht vorhanden sind.