| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Verifizierung von Reparaturen auf Masken für die Photolithographie, bei dem in einem Inspektionsschritt eine anhand eines Maskenlayouts hergestellte Maske auf Defekte inspiziert wird, wobei die Positionen, an denen auf der Maske Defekte gefunden wurden, in einer Positionsdatei gespeichert werden, bei dem dann in einem Reparaturschritt die Defekte repariert werden, und für jede reparierte Position in einem Verifikationsschritt ein Luftbild der Maske an dieser Position aufgenommen und das Luftbild dahingehend analysiert wird, ob die Maske an dieser Position Toleranzkriterien, die für eine oder mehrere ausgewählte Zielgrößen vorgegeben werden, erfüllt und die Reparatur bei Erfüllung der Toleranzkriterien verifiziert wird. Bei einem solchen Verfahren wird im Verifikationsschritt in Teilschritten zusätzlich a) anhand der Positionsdatei im Maskenlayout eine Sollstruktur an der reparierten Position bestimmt, b) für die Sollstruktur ein Luftbild simuliert, c) das aufgenommene mit dem simulierten Luftbild verglichen und d) anhand des Vergleichs entschieden, ob die Reparatur an dieser Position verifiziert wird.
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