| 发明名称 | 一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种硅衬底上的高锗组分锗硅虚衬底的生长方法，包括以下步骤：步骤1：在一外延生长装置中置入硅衬底；步骤2：在硅衬底上生长锗缓冲层；步骤3：在锗缓冲层上生长锗硅虚衬底，锗的原子组分大于0.5且小于1。 | ||
| 申请公布号 | CN101866835A | 申请公布日期 | 2010.10.20 |
| 申请号 | CN201010183385.1 | 申请日期 | 2010.05.19 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 胡炜玄;成步文;薛春来;张广泽;王启明 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种硅衬底上的高锗组分锗硅虚衬底的生长方法，包括以下步骤：步骤1：在一外延生长装置中置入硅衬底；步骤2：在硅衬底上生长锗缓冲层；步骤3：在锗缓冲层上生长锗硅虚衬底，锗的原子组分大于0.5且小于1。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||