| 发明名称 | 半导体器件的制造方法、半导体器件、通信设备和半导体激光器 | ||
| 摘要 | 一种在结构中包括半导体层和其上堆积的电介质层的半导体器件的制造方法，包括：半导体层形成步骤，形成半导体层；表面处理步骤，对于所述半导体层形成步骤中形成的所述半导体层的表面，实施用于除去残留碳化合物的表面处理；电介质膜形成步骤，在所述表面处理步骤中实施过表面处理的半导体层的表面的至少一部分，以对应于所述表面处理后的表面状态的堆积条件，形成电介质膜；热处理步骤，通过对所述电介质膜形成步骤中形成了电介质膜的所述半导体层实施热处理，使所述半导体层的至少一部分区域的结晶状态改变。由此，可以使电介质膜的作用充分发挥。 | ||
| 申请公布号 | CN101868888A | 申请公布日期 | 2010.10.20 |
| 申请号 | CN200880117257.8 | 申请日期 | 2008.11.20 |
| 申请人 | 古河电气工业株式会社 | 发明人 | 谷口英广;行谷武;片山悦治 |
| 分类号 | H01S5/323(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I;H01S5/028(2006.01)I;H01S5/16(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/323(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 张远 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件在结构中包括半导体层和在该半导体层上堆积的电介质层，该制造方法的特征在于，包括：半导体层形成步骤，形成半导体层；表面处理步骤，对于所述半导体层形成步骤中形成的所述半导体层的表面，实施用于除去残留碳化合物的表面处理；电介质膜形成步骤，在所述表面处理步骤中实施过表面处理的半导体层的表面的至少一部分，以对应于所述表面处理后的表面状态的堆积条件，形成电介质膜；和热处理步骤，通过对所述电介质膜形成步骤中形成了电介质膜的所述半导体层实施热处理，从而使所述半导体层的至少一部分区域的结晶状态改变。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||