发明名称 芯片结构及其形成方法
摘要 一种芯片结构,包括一晶粒、一第一绝缘层、一导电层、一凹口(notch)及一第一线路图案。晶粒具有一上表面、一下表面及一侧面,晶粒具有至少一接垫,至少一接垫形成于上表面上,侧面连接上表面与下表面。第一绝缘层形成于下表面。导电层形成于第一绝缘层上。凹口形成于侧面上,并且从上表面延伸至导电层的下表面。第一线路图案具有一走线,部分的走线形成于上表面,并电性连接至对应的接垫,部分的走线形成于凹口上,并与导电层电性连接。
申请公布号 CN101866895A 申请公布日期 2010.10.20
申请号 CN200910134779.5 申请日期 2009.04.20
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 王建皓
分类号 H01L23/482(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I 主分类号 H01L23/482(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 陆勍
主权项 一种芯片结构,包括:一晶粒,具有一上表面、一下表面及一侧面,该晶粒具有至少一接垫(Pad),该至少一接垫形成于该上表面上,该侧面连接该上表面与该下表面;一第一绝缘层,形成于该下表面;一导电层,形成于该第一绝缘层上;一凹口(notch),是形成于该侧面上,并且从该上表面延伸至该导电层的下表面;以及一第一线路图案,该第一线路图案具有一走线,部份的该走线形成于该上表面,并电性连接至对应的该接垫,部份的该走线形成于该凹口上,并与该导电层电性连接。
地址 中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号