发明名称 |
自对准工艺制作凸形图形衬底的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种用于氮化物外延生长的凸形图形衬底的制作方法——自对准工艺制作凸形图形衬底的方法。该方法通过高温处理将蓝宝石衬底上用薄光刻胶制作的多个凸形图形微结构碳化;再在其上涂覆一层厚光刻胶层,以碳化的凸形图形微结构作为掩膜对厚光刻胶层进行自对准曝光;然后采用高温坚膜,将碳化的凸形图形微结构和显影后的光刻胶图形熔合成凸形圆包,最后利用干法刻蚀技术将其图形结构转移到衬底上,得到凸形图形衬底。采用本发明的自对准工艺可以解决厚胶制作凸形图形脱落的问题,可以采用一般的曝光机实现高精度的曝光需求,可以大大提高图形的均匀性,从而使得制作凸形图形衬底的工艺能够产业化。 |
申请公布号 |
CN101867001A |
申请公布日期 |
2010.10.20 |
申请号 |
CN201010186438.5 |
申请日期 |
2010.05.27 |
申请人 |
上海蓝光科技有限公司 |
发明人 |
袁根如;郝茂盛;陈诚 |
分类号 |
H01L33/20(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/20(2010.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
李仪萍 |
主权项 |
一种自对准工艺制作凸形图形衬底的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:步骤一、在透明衬底上用光刻胶制作多个凸形图形微结构;步骤二、将附有所述凸形图形微结构的透明衬底进行高温处理,使所述凸形图形微结构碳化成不透光的凸形图形微结构掩膜;步骤三、在附有所述凸形图形微结构掩膜的透明衬底上涂覆一层光刻胶层,并进行软烘;步骤四、将透明衬底涂覆有所述光刻胶层的表面朝下,使光线透过透明衬底,利用所述凸形图形微结构掩膜对所述光刻胶层进行曝光;步骤五、对曝光后的光刻胶层显影,得到光刻胶图形;步骤六、采用高温坚膜,将凸形图形微结构掩膜和显影后的光刻胶图形熔合成凸形圆包;步骤七、利用所述凸形圆包作为掩膜,用干法刻蚀技术将其图形结构转移到透明衬底上,得到凸形图形衬底。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号 |