缓冲层填埋断续生长尺寸高均匀单层Ge量子点的方法

摘要

本发明涉及一种缓冲层填埋断续生长尺寸高均匀单层Ge量子点的方法，属半导体量子材料制备技术领域。本发明的单层Ge量子点的方法采用离子束溅射技术，通过转动高纯Ge靶材和高纯Si靶材的位置，在预处理后的硅基底材料上断续生长厚度为20nm～60nm的Si缓冲层，再在Si缓冲层上断续自组织生长厚度为2.0nm～3.0nm的单层Ge量子点。本发明通过断续生长，有效解决了制备量子点材料存在量子点需要多层生长来调控量子点尺寸均匀性，以及量子点的结晶、可控性差、高宽比低、及Ge/Si互混严重不足，获得能用于制作量子点器件的量子点材料，且生产成本低，可控性好，易于产业化生产，是制备量子点的一种简易而高效的方法。

主权项

一种缓冲层填埋断续生长尺寸高均匀单层Ge量子点的方法，用离子束溅射技术，通过转动高纯Ge靶材和高纯Si靶材的位置，在预处理后的硅基底材料上溅射沉积Ge和Si薄膜；其特征在于本发明的单层Ge量子点的方法先在预处理后的硅基底材料上断续生长厚度为20nm～60nm的Si缓冲层，再在Si缓冲层上断续自组织生长厚度为2.0nm～3.0nm的单层Ge量子点。