一种刻蚀有机物层的等离子刻蚀方法

摘要

一种刻蚀有机物层的等离子刻蚀方法，为解决刻蚀有机物层时基片的中心区域和边缘区域刻蚀效果不均一的问题。本发明的刻蚀方法提出了利用气体分布装置在对应基片中心区域供应刻蚀气体，在对应基片边缘区域供应侧壁保护气体。其中刻蚀气体和侧壁保护气体在进入反应腔内基片上方的反应区域前互相隔离。当刻蚀气体和侧壁保护气体从气体分布装置通入反应腔后逐渐扩散混合，最后在基片表面得到刻蚀气体与侧壁保护气体具有不同混合比的反应气体。该不同混合比使得基片的中心区域和边缘区域能够抵消其它因素造成的刻蚀效果差别，最终实现中心区域和边缘区域具有均一的刻蚀效果。

主权项

一种刻蚀有机物层的等离子刻蚀方法，包括以下步骤：放置待处理基片到一等离子反应腔的基座上，其中所述基片上包括待刻蚀的有机物层，该有机物层上方有图形化的掩膜层；通过一供气装置向所述等离子反应腔内与所述基片中心区域对应的第一反应区域供应一含氧刻蚀气体，并通过所述供气装置向所述等离子反应腔内与所述基片边缘区域对应的第二反应区域供应一侧壁保护气体，所述含氧刻蚀气体与侧壁保护气体在通入反应腔后扩散混合并在所述第一反应区域和第二反应区域分别形成不同混合比的反应气体，从而沿所述掩膜层上的图形刻蚀有机物层直到达到目标深度。