| 发明名称 | 近场光发生装置和方法以及信息记录和再现装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种近场光发生装置和方法以及信息记录和再现装置。该近场光发生装置包括导电散射器和导电体，该导电散射器通过入射光的照射产生的表面等离子振子来产生近场光，而该导电体设置在散射器附近，通过被入射光照射并且受该散射器的表面等离子振子影响来产生表面等离子振子。导电体的表面等离子振子的振荡方向大致平行于散射器的表面等离子振子的振荡方向，并且导电体的表面等离子振子的发生区域位于偏离在散射器的表面等离子振子的振荡方向上延伸的区域的位置。 | ||
| 申请公布号 | CN101312043B | 申请公布日期 | 2010.10.20 |
| 申请号 | CN200810142820.9 | 申请日期 | 2008.02.04 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 本乡一泰;渡边哲 |
| 分类号 | G11B5/00(2006.01)I;G11B5/02(2006.01)I;G11B11/105(2006.01)I | 主分类号 | G11B5/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种近场光发生装置，包括：导电散射器，基于通过入射光的照射产生的表面等离子振子来产生近场光；以及导电体，设置在该导电散射器附近，并且通过入射光的照射以及受到该导电散射器的表面等离子振子的影响而产生表面等离子振子，其中该导电体的该表面等离子振子的振荡方向大致平行于该导电散射器的表面等离子振子的振荡方向，并且其中该导电体的表面等离子振子的发生区域位于偏离在该导电散射器的表面等离子振子的振荡方向上延伸的区域的位置。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||