发明名称 太阳能电池的制造方法
摘要 一种制造太阳能电池的方法,其包括如下步骤:通过在室温下沉积透明导电氧化物,在衬底上形成透明导电层;通过使用第一激光器将激光束照射到该透明导电层上,使该透明导电层结晶;选择性地腐蚀该结晶的透明导电层,以在该透明导电层的表面形成凸起和凹陷的图案;通过对具有该凸起和凹陷的图案的该透明导电层进行构图,形成各单元电池中的各透明电极;在各透明电极上形成p-n结半导体层并对该p-n结半导体层进行构图;以及通过形成金属材料层并对该金属材料层进行构图,在该构图后的p-n结半导体层上形成各背电极,各背电极对应于各单元电池。
申请公布号 CN101866979A 申请公布日期 2010.10.20
申请号 CN200910254037.6 申请日期 2009.12.15
申请人 乐金显示有限公司 发明人 李正禹;朴成基;沈敬珍;金泰润;朴元绪
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 徐金国;赵静
主权项 一种制造太阳能电池的方法,该方法包括:通过在室温下在衬底上沉积透明导电氧化物,在所述衬底上形成透明导电层;通过使用第一激光器将激光束照射到所述透明导电层上,使所述透明导电层结晶;选择性地腐蚀结晶的透明导电层,以在所述结晶的透明导电层的表面形成凸起和凹陷的图案;通过对具有所述凸起和凹陷的图案的所述结晶的透明导电层进行构图,形成各单元电池中的各透明电极;在所述各透明电极上形成p-n结半导体层并对所述p-n结半导体层进行构图;以及通过在构图后的p-n结半导体层上形成金属材料层并对所述金属材料层进行构图,在所述构图后的p-n结半导体层上形成各背电极,所述各背电极对应于所述各单元电池。
地址 韩国首尔