发明名称 |
具有低功率消耗的移位寄存器 |
摘要 |
本发明公开一种具有低功率消耗的移位寄存器,包含多个移位寄存器级,每一移位寄存器级包含第一输入端、第二输入端、用以接收第一时钟脉冲信号的第三输入端、用以接收第二时钟脉冲信号的第四输入端以及输出端用以提供输出信号。前述移位寄存器级彼此电性串联,致使移位寄存器级的第一输入端电性连接于上一移位寄存器级的输出端以接收上一移位寄存器级所输出的输出信号;移位寄存器级的第二输入端电性连接于次一移位寄存器级的输出端以接收次一移位寄存器级所输出的输出信号;移位寄存器级的输出端电性连接于次一移位寄存器级的第一输入端,以提供输出信号至次一移位寄存器级。 |
申请公布号 |
CN101866697A |
申请公布日期 |
2010.10.20 |
申请号 |
CN201010181235.7 |
申请日期 |
2010.05.17 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
蔡宗廷 |
分类号 |
G11C19/28(2006.01)I;G09G3/20(2006.01)I |
主分类号 |
G11C19/28(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
梁挥;祁建国 |
主权项 |
一种移位寄存器,包含多个移位寄存器级,其特征在于,每一这些移位寄存器级包含:第一输入端;第二输入端;第三输入端,用以接收第一时钟脉冲信号;第四输入端,用以接收第二时钟脉冲信号;第五输入端,用以接收第一供应电压;第六输入端,用以接收第二供应电压;一输出端,用以提供一输出信号;第一晶体管,包含:一栅极,电性连接于该第一输入端;一漏极;以及一源极,电性连接于该栅极;第二晶体管,包含:一栅极,电性连接于该第三输入端;一漏极;以及一源极,电性连接于该第一晶体管的该漏极;第三晶体管,包含:一栅极,电性连接于该第二晶体管的该漏极;一漏极,电性连接于该第五输入端;以及一源极,电性连接于该输出端;第四晶体管,包含:一栅极,电性连接于该第二输入端;一漏极,电性连接于该第一晶体管的该漏极;以及一源极,电性连接于该第六输入端;第五晶体管,包含:一栅极,电性连接于该第四输入端;一漏极,电性连接于该第二晶体管的该漏极;以及一源极,电性连接于该第六输入端;第六晶体管,包含:一栅极,电性连接于该第五晶体管的该栅极;一漏极,电性连接于该输出端;以及一源极,电性连接于该第六输入端;第一电容,电性连接于该第二晶体管的该源极与该输出端之间;以及第二电容,电性连接于该第三晶体管的该栅极与该输出端之间。 |
地址 |
中国台湾新竹 |