| 发明名称 | 硅锗异质结双极型晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种硅锗异质结双极型晶体管，所述硅锗异质结双极型晶体管包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底中的集电极区；形成于所述半导体衬底上的外延层；形成于所述外延层中的基极区；形成于所述外延层上的发射极区；形成于所述基极区与集电极区之间的隔离层。所述硅锗异质结双极型晶体管在基极区与集电极区之间设置有隔离层，所述隔离层可阻挡基极区的杂质向集电极区扩散，减小了基极区与集电极区之间的结电容，提高了硅锗异质结双极型晶体管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101866947A | 申请公布日期 | 2010.10.20 |
| 申请号 | CN201010172662.9 | 申请日期 | 2010.05.12 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 陈乐乐;孙涛 |
| 分类号 | H01L29/737(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/737(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种硅锗异质结双极型晶体管，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底中的集电极区；形成于所述半导体衬底上的外延层；形成于所述外延层中的基极区；形成于所述外延层上的发射极区；形成于所述基极区与集电极区之间的隔离层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技园区郭守敬路818号 | ||