发明名称 |
半导体器件 |
摘要 |
本发明减少发光器件的尺寸。用于闪光照相的发光器件包括:荧光氙管;IGBT,用于氙管的放电开关;电容器,用于对氙管进行放电;以及MOSFET,用于电容器的充电开关。通过在封装中密封以下各项来获得这一发光器件中使用的半导体器件:IGBT形成于其中的半导体芯片;MOSFET形成于其中的半导体芯片;IGBT的驱动电路和MOSFET的控制电路形成于其中的半导体芯片;以及耦合到它们的多个引线。 |
申请公布号 |
CN101866914A |
申请公布日期 |
2010.10.20 |
申请号 |
CN201010155922.1 |
申请日期 |
2010.04.08 |
申请人 |
瑞萨电子株式会社 |
发明人 |
河野诚;尾藤胜利;三田村笃;川野浩平 |
分类号 |
H01L25/16(2006.01)I;G03B15/05(2006.01)I;H01J61/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L25/16(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 11256 |
代理人 |
王茂华;郑菊 |
主权项 |
一种在发光器件中使用的半导体器件,所述发光器件包括:荧光放电管;用于所述放电管放电开关的IGBT,与所述放电管串联耦合;电容器,与所述放电管和所述IGBT的串联电路并联耦合并且用于对所述放电管进行放电;以及用于所述电容器充电开关的MOSFET,所述半导体器件包括:第一半导体芯片,其中形成所述IGBT;第二半导体芯片,其中形成所述MOSFET;第三半导体芯片,其中形成所述IGBT的驱动电路和所述MOSFET的控制电路;以及密封体,密封所述第一、第二和第三半导体芯片。 |
地址 |
日本神奈川县 |