| 发明名称 | 一种超导平面电路的制备工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种超导平面电路的制备工艺，其包括步骤：1、根据需要，取一块表面有导电层和超导薄膜层的衬底，在导电层表面形成由光刻胶构成的电路图形；2、通过干法刻蚀或湿法刻蚀将导电层和超导层刻蚀成电路图形之后，去除电路表面的光刻胶；3、在电路上需要保留导电层电极的位置手工涂覆光刻胶，之后进行烘焙；4、通过干法刻蚀或湿法刻蚀对导电层进行刻蚀，之后去除光刻胶；5、得成品。本发明工艺减少了对超导薄膜性能的影响，并减少了光刻步骤，周期短，工艺复杂度低和制作成本少。 | ||
| 申请公布号 | CN101868127A | 申请公布日期 | 2010.10.20 |
| 申请号 | CN200910238769.6 | 申请日期 | 2009.11.24 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 张晓平;郭旭波;曹必松;金世超 |
| 分类号 | H05K3/46(2006.01)I;H05K3/40(2006.01)I | 主分类号 | H05K3/46(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种超导平面电路的制备工艺，其特征在于，包括步骤：1)根据需要，取一块表面有导电层和超导薄膜层的衬底，在导电层表面形成由光刻胶构成的电路图形；2)通过干法刻蚀或湿法刻蚀将导电层和超导层刻蚀成电路图形之后，去除电路表面的光刻胶；3)在电路上需要保留导电层电极的位置手工涂覆光刻胶，之后进行烘焙；4)通过干法刻蚀或湿法刻蚀对导电层进行刻蚀，之后去除光刻胶；5)得成品。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区清华大学 | ||