| 发明名称 | 透明电极GaN基LED结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种透明电极GaN基LED结构，包括：一衬底；一N型GaN层，该N型GaN层生长在衬底上；一GaN材料有源层，该GaN材料有源层制作在N型GaN层上，该GaN材料有源层的面积小于N型GaN层的面积，而位于N型GaN层的一侧，在N型GaN层的另一侧形成有一台面；一P型GaN层，该P型GaN层制作在GaN材料有源层上；一ZnO层，该ZnO层制作在P型GaN层上；一P型电极，该P型电极制作在ZnO层上；一N型电极，该N型电极制作在N型GaN层的台面上。 | ||
| 申请公布号 | CN101866994A | 申请公布日期 | 2010.10.20 |
| 申请号 | CN200910081994.3 | 申请日期 | 2009.04.15 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 杨华;王晓峰;阮军;王国宏;曾一平 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种透明电极GaN基LED结构，包括：一衬底；一N型GaN层，该N型GaN层生长在衬底上；一GaN材料有源层，该GaN材料有源层制作在N型GaN层上，该GaN材料有源层的面积小于N型GaN层的面积，而位于N型GaN层的一侧，在N型GaN层的另一侧形成有一台面；一P型GaN层，该P型GaN层制作在GaN材料有源层上；一ZnO层，该ZnO层制作在P型GaN层上；一P型电极，该P型电极制作在ZnO层上；一N型电极，该N型电极制作在N型GaN层的台面上。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||