| 发明名称 | N型金属氧化物半导体器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供NMOS器件及其制作方法，以提高NMOS作为ESD保护器件的有效性。该NMOS用作ESD保护器件，该NMOS包含漏极，且位于有源区，所述有源区包含于P型衬底内；且在所述P型衬底内，还设置有环绕所述有源区的N型隔离墙；该方法包括步骤：在所述P型衬底内，制作环绕所述有源区的N型隔离墙。 | ||
| 申请公布号 | CN101866950A | 申请公布日期 | 2010.10.20 |
| 申请号 | CN200910049286.1 | 申请日期 | 2009.04.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 朱志炜;廖金昌 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I;H01L21/761(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种N型金属氧化物半导体器件，用作静电释放保护器件，该N型金属氧化物半导体包含漏极，且位于有源区，所述有源区包含于P型衬底内；其特征在于，在所述P型衬底内，还设置有环绕所述有源区的N型隔离墙。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||