发明名称 |
用于再生衬底的表面的方法 |
摘要 |
本发明涉及用于再生衬底的表面的方法,其中该表面,特别为硅表面,包括突出残留形貌,该突出残留形貌包括至少一层的第一材料。通过在衬底的表面的非突起区域中设置填充材料并且随后进行抛光,能够实施所述再生,使得在现有技术中所用的消耗材料的双面抛光步骤不再是必需的。 |
申请公布号 |
CN101866824A |
申请公布日期 |
2010.10.20 |
申请号 |
CN200910246888.6 |
申请日期 |
2009.12.16 |
申请人 |
硅绝缘体技术有限公司 |
发明人 |
阿齐兹·哈拉米-艾蒂里斯;塞巴斯蒂安·凯尔迪勒;沃尔特·施瓦岑贝格 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
党晓林 |
主权项 |
用于再生衬底的表面的方法,其中所述表面特别为硅表面,包括突起残留形貌,所述突起残留形貌特别是由层转移工艺所产生,包括至少一层的诸如硅的第一材料,所述方法具有以下步骤:a)在所述衬底的所述表面的非突起区域中提供填充材料,特别是硅,以及b)抛光所述表面,其中,在抛光步骤b)期间,所述填充材料和所述突起残留形貌的至少一部分被同时抛光。 |
地址 |
法国克莱斯 |