| 发明名称 | 制造具有无等离子体损坏的光电二极管的互补金属氧化物半导体图像传感器的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的方法，其包括：一种制造互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的方法，所述方法包括：在衬底上形成栅极结构；使用第一掩模在紧邻于所述栅极结构的衬底上实施第一离子注入过程以形成光电二极管；在所述光电二极管上形成第一图案化阻挡层；在所述栅极结构的侧壁上和第一图案化阻挡层的侧壁上形成隔离物；以及使用作为第二掩模的掩模图案和所述隔离物实施第二离子注入过程。 | ||
| 申请公布号 | CN101866938A | 申请公布日期 | 2010.10.20 |
| 申请号 | CN201010187292.6 | 申请日期 | 2007.04.25 |
| 申请人 | 科洛司科技有限公司 | 发明人 | 车韩燮 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人 | 杨勇;郑建晖 |
| 主权项 | 一种制造互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的方法，所述方法包括：在衬底上形成栅极结构；使用第一掩模在紧邻于所述栅极结构的衬底上实施第一离子注入过程以形成光电二极管；在所述光电二极管上形成第一图案化阻挡层；在所述栅极结构的侧壁上和第一图案化阻挡层的侧壁上形成隔离物；以及使用作为第二掩模的掩模图案和所述隔离物实施第二离子注入过程。 | ||
| 地址 | 美国特拉华州 | ||