发明名称 | 氮化物发光元件 | ||
摘要 | 本发明公开了一种氮化物发光元件,其提供具有光线撷取层的基板,将氮化物发光结构生长于此基板上,通过改变光线路径而提高发光效率。同时通过光线撷取层与生长基板折射率的匹配,可再大幅提升发光效率。此外,本发明还公开了一种高功率氮化物发光元件,其提供一种牺牲层基板,在将氮化物发光结构生长于此基板上后,通过两种以上的金属或合金所构成的结合层,将生长基板上的氮化物发光结构与具有高热导系数的基板相结合;再通过化学溶液将此牺牲层完全刻蚀去除,使此所生长的结构与原基板剥离。最后,使得能将此氮化物发光结构替换设置于具有高热导系数的基板上。因承载基板具有高热导系数,因此,此元件可在高电流操作下,大幅提升其发光效率。 | ||
申请公布号 | CN101866993A | 申请公布日期 | 2010.10.20 |
申请号 | CN200910057070.X | 申请日期 | 2009.04.14 |
申请人 | 山东璨圆光电科技有限公司 | 发明人 | 杨光能;陈隆建;简奉任 |
分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
主权项 | 一种氮化物发光元件,其特征在于,包括:一生长基板;一生长于所述生长基板上的光线撷取层;一生长于所述光线撷取层上的氮化物外延层;通过所述光线撷取层改变光线原来的行进路径,因而避免光线的大部分被外延层吸收,而从此发光元件射出,提高发光效率;并且通过所述光线撷取层与生长基板折射率的匹配,增加发光效率。 | ||
地址 | 264500 山东省乳山市台湾工业园 |