| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体装置，该半导体装置实现了在低介电常数材料和半导体材料之间改善的粘合性。该半导体装置包括在半导体层上从该半导体层侧依次设置的粘合层和低介电常数材料层。该粘合层具有凸起/凹入结构，并且该低介电常数材料层形成来掩埋在该凸起/凹入结构中的间隙。 | ||
| 申请公布号 | CN101867154A | 申请公布日期 | 2010.10.20 |
| 申请号 | CN201010106244.X | 申请日期 | 2010.01.29 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 增井勇志;荒木田孝博;菊地加代子;成瀬晃和;大木智之;城岸直辉 |
| 分类号 | H01S5/183(2006.01)I;H01S5/02(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/183(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：在半导体层上从该半导体层侧依次设置的粘合层和低介电常数材料层，其中该粘合层具有凸起/凹入结构，并且该低介电常数材料层形成来掩埋在该凸起/凹入结构中的间隙。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||